PFIB(플라즈마 집속 이온빔)

Compared to traditional gallium-ion focused ion beam (Ga-FIB), PFIB utilizes a more powerful xenon (Xe) ion beam, achieving a maximum current of 2.5 μA at 30 keV energy, which increases its etching rate by approximately 50 times. Therefore, PFIB is particularly suitable for processing large-size (>100μm)-단면. PFIB는 Ga+-free TEM 샘플 준비, 플립-칩 패키지-레벨 불량 분석, 다공성 재료의 대규모-필드 분석, 대규모-3D 재구성 등 기존 Ga-FIB가 해결할 수 없는 문제를 해결할 수 있어 반도체 및 재료 분석 분야에서 폭넓은 응용 가능성을 보여줍니다.